英諾賽科(02577.HK) +5.900 (+7.623%) 沽空 $4.14千萬; 比率 11.651% 表示,作為唯一實現1200V至15V氮化鎵(GaN)量產的企業,目前正與英偉達(NVDA.US) 合作,為800 VDC電源架構提供支持,其中通過英諾賽科第三代GaN技術,在800V輸入側與碳化硅(SiC)相比在每個開關半周期內可降低80%的驅動損耗和50%的開關損耗,從而實現整體功耗降低10%。
公司指,在54V輸出端,僅需16顆英諾賽科GaN器件即可實現與32顆硅MOSFET相同的導通損耗,能將功率密度提升一倍,並令驅動損耗降低90%。與現有機架架構中的硅MOSFET相比,800 VDC的低壓電源轉換階段採用GaN材料可將開關損耗降低70%,並在相同體積內實現功率輸出提升40%,大幅提升功率密度。(gc/j)(港股報價延遲最少十五分鐘。沽空資料截至 2025-10-13 16:25。) (美股為即時串流報價; OTC市場股票除外,資料延遲最少15分鐘。)
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